雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。

輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為：硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。

輸出特性曲線：描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系?？杀硎緸椋?/p>

雙極型晶體管輸出特性可分為三個區(qū)

截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這個狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。

飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這時開關(guān)處于閉合狀態(tài)。

放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

放大區(qū)的特點是：

IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。

特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。

伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。

在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為：UCE=EC-ICRC,IC=βIB

在放大區(qū)管子可等效為一個可變直流電阻。

極間反向電流：是少數(shù)載流子漂移運動的結(jié)果。

集電極－基極反向飽和電流ICBO：是集電結(jié)的反向電流。

集電極－發(fā)射極反向飽和電流ICEO：它是穿透電流。

ICEO與CBO的關(guān)系：

特征頻率：由于晶體管中PN結(jié)結(jié)電容的存在，晶體管的交流電流放大系數(shù)會隨工作頻率的升高而下降，當(dāng)?shù)臄?shù)值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率。

雙極型晶體管極限參數(shù)

最大集電極耗散功率。

最大集電極電流:使b下降到正常值的1/2～2/3時的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。

極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。

更多雙極型晶體管相關(guān)信息，請持續(xù)關(guān)注變寶網(wǎng)。